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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
37
读取速度,GB/s
12.3
13.9
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2387
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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