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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 -39% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
23
读取速度,GB/s
16.2
15.5
写入速度,GB/s
12.5
8.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
2414
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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