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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
32
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
30
读取速度,GB/s
16.2
15.9
写入速度,GB/s
12.5
10.7
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
2846
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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