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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 60
    左右 -122% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.4 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 18.4
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 3008

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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