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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
6.8
17.2
写入速度,GB/s
5.4
14.8
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3595
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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