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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 60
    左右 -114% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 3359

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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