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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
差异
规格
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
60
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
45
读取速度,GB/s
6.8
13.2
写入速度,GB/s
5.4
12.2
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2841
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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