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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 60
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2882

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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内存RAM
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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