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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    60 left arrow 83
    左右 28% 更低的延时
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 83
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 1752

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