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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
6.8
16.9
写入速度,GB/s
5.4
13.5
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3141
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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