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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
6.8
16.5
写入速度,GB/s
5.4
13.3
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3040
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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