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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
85
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
85
读取速度,GB/s
6.8
15.1
写入速度,GB/s
5.4
8.1
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1772
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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