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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.9
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
18.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.2
18.8
写入速度,GB/s
14.9
14.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3492
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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