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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
69
读取速度,GB/s
18.2
15.7
写入速度,GB/s
14.9
7.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
1831
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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