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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
18.2
14.5
写入速度,GB/s
14.9
11.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3001
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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