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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
84
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
84
读取速度,GB/s
18.2
12.5
写入速度,GB/s
14.9
7.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
1486
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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