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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
18.2
13.8
写入速度,GB/s
14.9
6.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
1983
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lenovo 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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