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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
14.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
18.2
18.0
写入速度,GB/s
14.9
14.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3327
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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