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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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规格
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
15.0
写入速度,GB/s
7.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2827
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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