RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

总分
star star star star star
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 44
    左右 36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 44
  • 读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3501 left arrow 2191

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
内存RAM