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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
38
读取速度,GB/s
15.0
16.3
写入速度,GB/s
13.9
11.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3332
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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