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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
比较
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
总分
Kingston KN2M64-ETB 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.7
13.8
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2037
2920
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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