RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

总分
star star star star star
Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KN2M64-ETB 8GB 需要考虑的原因
Kingston KN2M64-ETB 8GB
报告一个错误
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 47
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    11.7 left arrow 11.9
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2037 left arrow 2077

Kingston KN2M64-ETB 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
内存RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
内存RAM