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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

总分
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KP4T2F-PSB 4GB 需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB 需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 38
    左右 -46% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.9 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2317 left arrow 3204

Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较

Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
内存RAM