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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Inmos + 256MB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Inmos + 256MB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
11.5
写入速度,GB/s
9.3
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2317
2318
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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