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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
13.9
14.8
写入速度,GB/s
9.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
2014
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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