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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
61
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,410.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
31
读取速度,GB/s
4,230.0
13.9
写入速度,GB/s
2,410.6
8.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
2236
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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