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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

总分
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB 需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 61
    左右 -144% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.7 left arrow 2,410.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    61 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,230.0 left arrow 13.3
  • 写入速度，GB/s
    2,410.6 left arrow 6.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    754 left arrow 2003

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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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