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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
9.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2963
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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