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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965600-005.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
10.4
写入速度,GB/s
2,123.3
9.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2533
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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