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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
17.5
写入速度,GB/s
9.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3103
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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