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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
26
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
18
读取速度,GB/s
13.9
20.9
写入速度,GB/s
9.5
16.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3180
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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