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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
13.2
写入速度,GB/s
12.0
6.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1983
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology C 8GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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