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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
比较
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
总分
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
21.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,465.0
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
53
左右 -212% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
17
读取速度,GB/s
5,169.8
21.8
写入速度,GB/s
2,465.0
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
781
3695
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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