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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
81
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
81
读取速度,GB/s
15.3
8.5
写入速度,GB/s
9.8
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
1651
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
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