RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
81
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
81
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
1651
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link