RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
81
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
1651
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link