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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
41
读取速度,GB/s
13.9
13.2
写入速度,GB/s
9.5
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2251
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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