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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
9.5
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3084
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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