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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
15.5
11.9
写入速度,GB/s
12.0
8.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
1875
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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