RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1875
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link