RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1875
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link