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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
40
读取速度,GB/s
13.9
14.2
写入速度,GB/s
9.5
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2192
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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