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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.9
13.7
写入速度,GB/s
9.5
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2325
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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