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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.9
14.6
写入速度,GB/s
9.5
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2320
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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