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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
13.9
14.9
写入速度,GB/s
9.5
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2780
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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