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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
71
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
9.5
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
1902
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