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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
17.9
写入速度,GB/s
2,404.5
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3651
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 994050 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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