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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.9
14.9
写入速度,GB/s
9.5
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2373
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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