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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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规格
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差异
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
19
读取速度,GB/s
13.9
19.4
写入速度,GB/s
9.5
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3397
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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